全部商品分类
STW34N65M5
数量
6
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
系列：
MDmesh™ V
FET类型：
N 沟道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：
28A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：
10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：
5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
62.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2700pF @ 100V
Vgs（最大值）：
±25V
功率耗散（最大值）：
190W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：
110 毫欧 @ 14A，10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
封装形式Package：
TO-247
极性Polarity：
N-CH
漏源极击穿电压VDSS：
650V
连续漏极电流ID：
28A
无铅情况/RoHs：
无铅/符合RoHs
生命周期
在售
描述
STW34N65M5 STMICROELECTRONICS原装现货库存：6
在线询价
版权所有 © 2022 深圳市科微杰电子有限公司
粤ICP备2022034125号-7