全部商品分类
STQ1NK60ZR-AP
数量
50
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
制造商:
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
是
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-92-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
300 mA
Rds On-漏源导通电阻:
15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:
3 V
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Qg-栅极电荷:
4.9 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
SuperMESH
系列:
STQ1NK60ZR
晶体管类型:
1 N-Channel Power ...
商标:
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:
0.5 S
下降时间:
28 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
5 ns
工厂包装数量:
2000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
13 ns
典型接通延迟时间:
5.5 ns
单位重量:
220 mg
生命周期
在售
描述
STQ1NK60ZR-AP STMICROELECTRONICS原装现货库存：50
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