全部商品分类
STU6N60DM2
数量
10
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
包装
管件
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.1欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
6.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
274pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，...
生命周期
在售
描述
STU6N60DM2 STMICROELECTRONICS原装现货库存：10
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