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STL110N10F7
数量
2582
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
系列：
DeepGATE™，STripFET...
FET类型：
N 沟道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：
107A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：
10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：
4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
72nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
5117pF @ 50V
Vgs（最大值）：
±20V
功率耗散（最大值）：
136W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：
6 毫欧 @ 10A，10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-PowerSMD，扁平引线
封装形式Package：
Power
极性Polarity：
N-CH
漏源极击穿电压VDSS：
100V
连续漏极电流ID：
110A
RoHS：
符合 RoHS
最高工作温度：
+ 175 C
5 W：
Pd - 功率消耗
安装风格：
SMD/SMT
品牌：
STMicroelectronics
最低工作温度：
- 55 C
标准包装数量：
3000
晶体管极性：
N-Channel
Vds - 漏-源击穿电压：
100 V
Vgs - 闸极-源极击穿电压：
20 V
Id - C连续漏极电流：
21 A
Rds On - 漏-源电阻：
6 m0hms
配置：
Dual Dual Source
Vgs th - 门源门限电压：
2 V to 4 V
60 nC：
Qg - 闸极充电
无铅情况/RoHs：
无铅/符合RoHs
生命周期
在售
描述
STL110N10F7 STMICROELECTRONICS原装现货库存：2582
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