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STW70N60M2
数量
10
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
制造商:
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
是
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-247-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
68 A
Rds On-漏源导通电阻:
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
3 V
Vgs - 栅极-源极电压:
25 V
Qg-栅极电荷:
118 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
450 W
配置:
Single
商标名:
MDmesh
封装:
Tube
系列:
STW70N60M2
晶体管类型:
1 N-Channel
商标:
STMicroelectronics
下降时间:
9 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
17 ns
工厂包装数量:
600
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
155 ns
典型接通延迟时间:
32 ns
单位重量:
38 g
生命周期
在售
描述
STW70N60M2 STMICROELECTRONICS原装现货库存：10
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