全部商品分类
STP110N10F7
数量
100
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
其它有关文件：
STP110N10F7 View A...
产品培训模块：
Low Voltage Power ...
特色产品：
STMicro - STP310N1...
标准包装：
50
类别：
分立半导体产品
家庭：
FET - 单
系列：
DeepGATE?，STripFET...
包装：
管件
FET 类型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：
标准
漏源极电压（Vdss）：
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
110A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：
7 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：
60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：
5500pF @ 50V
功率 - 最大值：
150W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
其它名称：
497-13551-5
生命周期
在售
描述
STP110N10F7 STMICROELECTRONICS原装现货库存：100
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